O 27 de xullo, Samsung Electronics publicou unha entrevista oficial con Koo Ja-hyun, responsable do desenvolvemento tecnolóxico do negocio de semiconductores da empresa. Na entrevista, Samsung detallou por primeira vez a arquitectura do proceso, as melloras de rendemento esperadas e as aplicacións obxectivo da súa memoria de altas prestacións HBM5 de nova xeración, proporcionando unha guía máis clara para a folla de ruta da HBM da industria.
Koo dixo que se espera que HBM5 funcione máis de 50% máis rápido que a xeración HBM4E actualmente producida en masa. O núcleo base será fabricado utilizando un proceso de transistor de porta totalmente envolvente de 2 nanómetros e combinado con unha tecnoloxía de vía a través de silicio moi integrada e ademais actualizada. O deseño está destinado a proporcionar aumentos de rendemento en toda a arquitectura dos transistores, a tecnoloxía de proceso de oblea e as interconexións apiladas.
Samsung basearase na experiencia do proceso e nas capacidades de produción en masa que gañou da produción de núcleos base HBM4 no seu nodo de 4 nanómetros. Ao introducir un avanzado proceso de 2 nanómetros en HBM5 anticipadamente, a empresa pretende reforzar a súa posición tecnolóxica no mercado de memorias de AI de alto nivel.
No que respecta á expansión do mercado, Samsung planea utilizar HBM5 como produto central para ampliar a súa cobertura de clientes en múltiples mercados. Ademais de apoiar o adestramento de modelos grandes de IA e aplicacións de computación de alto rendemento, o produto espera estenderse a dispositivos móbiles, electrónica automotriz, robôs humanoides e outros segmentos emerxentes. A través dos seus produtos de memoria de alta gama, Samsung aspira a abordar a demanda de computación en múltiples categorías de dispositivos e ampliar ainda máis o seu ecosistema de semiconductores.
A entrevista reflicte os plans actuais de desenvolvemento tecnolóxico de Samsung. A empresa non deu detalles sobre o aumento do rendemento do seu proceso GAA de 2 nanómetros, os desafíos de produción en masa do apilamento de TSV altamente integrado, ou o calendario de mostras e produción en volume para HBM5.
Os observadores da industria esperan amplamente que HBM5 se converta nunha solución de memoria estándar para aceleradores de AI de alto nivel arredor do 2028. Detalles adicionais sobre as especificacións do produto, as cualificacións dos clientes e a capacidade de produción esperan ser publicados en futuros eventos tecnolóxicos de Samsung ou informes de beneficios.