Ademais, o novo chip de inferencia de intelixencia artificial de Nvidia, o Groq 3 LPU (Unidade de procesamento de linguaxe), subcontratouse a Samsung Foundry e estase a fabricar mediante un proceso de 4 nm.Han Jin-man, presidente de Samsung Foundry Business e xefe de Samsung Foundry, expresou a súa confianza no subministro estable e dixo: "A nosa tecnoloxía de proceso de 4 nm non é de ningún xeito inferior".
Hwang Sang-joon e o presidente Han Jin-man fixeron estes comentarios o 16 de marzo (hora local) no stand de Samsung Electronics durante o GTC 2026 en San Jose, California.
É inusual que os principais executivos do negocio de semicondutores de Samsung Electronics asistan ao GTC de Nvidia en persoa, expliquen produtos e participen en actividades públicas.
En primeiro lugar, cando se lle preguntou sobre a tecnoloxía de proceso que se utilizará na próxima xeración de HBM, o vicepresidente executivo Hwang Sang-joon dixo: "HBM5 usa o proceso 1c (o nodo de clase 10 nm da sexta xeración) para a matriz principal, mentres que a matriz base está sendo desenvolvida mediante o proceso de 2 nm de Samsung Foundry.
Samsung planea seguir usando o proceso 1c aplicado ao HBM4 de sexta xeración mentres adopta o proceso máis avanzado de 2nm para a matriz base.
Anteriormente, Samsung Electronics foi a primeira en aplicar a súa DRAM 1c, por diante dos competidores, á matriz de núcleo HBM4 e utilizou o proceso de 4 nm de Samsung Foundry para fabricar a matriz base.Sobre esa base, a compañía alcanzou un rendemento líder na industria e, en febreiro, converteuse na primeira en fornecer HBM4 a Nvidia.
O vicepresidente executivo Hwang Sang-joon dixo: "Para HBM5E, a matriz central utilizará o proceso 1d nm e a matriz base utilizará o proceso de 2 nm de Samsung Foundry".Engadiu: "A medida que o rendemento dos semicondutores siga mellorando, seguiremos aplicando procesos de vangarda a HBM5 e HBM5E".
O presidente Han Jin-man asistiu a GTC por primeira vez desde 2024 e presentou persoalmente a tecnoloxía de fundición da compañía no stand de Samsung Electronics.
Destacou a "Groq 3 LPU", que chamou a atención xeneralizada despois de que o CEO de Nvidia, Jensen Huang, mencionase na súa presentación de GTC 2026 que "Samsung Electronics está a fabricalo".
Han Jin-man dixo: "Actualmente estamos producindo o Groq 3 LPU na nosa planta de Pyeongtaek mediante un proceso de 4 nm".Engadiu: "O volume de pedidos deste ano superou as expectativas".
Continuou: "A matriz base HBM4 de Samsung tamén se fabrica mediante un proceso de 4 nm, polo que creo que a demanda do proceso de 4 nm crecerá significativamente no futuro".
Respecto dos antecedentes dos que Nvidia encargou a Samsung Foundry a produción da LPU Groq 3, Han Jin-man dixo: "Xa en 2023, antes de que Nvidia adquirise Groq, xa comezamos a traballar con Groq. Os nosos enxeñeiros estaban directamente implicados no proxecto e mesmo axudaron co traballo de deseño".
Enfatizou: "Cando Nvidia e Groq comezaron a traballar xuntos, estabamos preocupados de que puidesen escoller unha fundición diferente, pero deberon avaliar o rendemento dos nosos chips e recoñecer o seu gran potencial. O noso proceso de 4 nm non é de ningún xeito inferior".
Cando se lle preguntou cando o Groq 3 LPU comezaría a aportar ingresos, el respondeu: "A produción en masa comezará a finais do Q3 ou principios do Q4. Necesitamos observar a resposta do mercado, pero creo que a demanda da Groq 3 LPU aumentará moito o ano que vén".
Mentres tanto, Han Jin-man e Hwang Sang-joon tomaron fotos conmemorativas con Jensen Huang no local do GTC ese día.Nas fotos, Huang asinou persoalmente a oblea Groq 3 LPU e escribiu "GROQ SUPER RÁPIDO" e escribiu "¡INCREÍBLE HBM4!"na oblea HBM4.Ambos produtos son fabricados por Samsung.