O mercado global de memorias segue diverxente, xa que os dous principais fabricantes de memorias de Corea do Sur céntranse na expansión da capacidade de 1c DRAM e HBM á vez que ralentizan o ritmo do desenvolvemento de flash NAND de próxima xeración.Este cambio creou unha valiosa fiestra de mercado para a alianza Kioxia-Sandisk.
Segundo Global Economic, citando o punto de venta tecnolóxico alemán ComputerBase, Kioxia e Sandisk están dispostos a aumentar significativamente os seus investimentos en NAND, aproveitando a súa tecnoloxía e capacidade de produción para captar a demanda no mercado de almacenamento do centro de datos de IA.
Os datos mostran que a alianza NAND entre Estados Unidos e Xapón planea gastar 4.500 millóns de dólares en gastos de capital este ano fiscal, o que equivale a 6.75 billóns de wones, o que supón un aumento do 41% interanual.O investimento centrarase principalmente nos produtos NAND de arquitectura BiCS de décima xeración.
Segundo Nikkei, Kioxia planea comezar a produción en masa de NAND de próxima xeración na súa planta de Kitakami na prefectura de Iwate, Xapón, en 2026. A arquitectura do produto pasará de NAND de 218 capas de oitava xeración a NAND de 332 capas.A produción utilizará a liña K2 que comezou a operar o pasado mes de setembro, o que lle permitirá á compañía facer un mellor uso dos recursos de fabricación existentes.
A última expansión da capacidade está sendo impulsada polo crecemento da demanda estrutural da industria da IA.A medida que o desenvolvemento da IA pasa da creación de formación en infraestruturas á implantación de inferencias a gran escala, a demanda de produtos de almacenamento de alto rendemento e capacidade segue aumentando.Os principais provedores de servizos na nube están a destinar máis gastos de capital do centro de datos ao almacenamento, mentres que a capacidade SSD por GPU duplicouse ano tras ano.Os servidores de intelixencia artificial de próxima xeración agora están normalmente equipados con decenas de terabytes de almacenamento por GPU, o que impulsa aínda máis a demanda de NAND de gama alta.
Segundo ZDNet, Kioxia fixou a produción en masa de BiCS NAND de décima xeración como obxectivo principal para o ano fiscal 2026. En comparación coa xeración anterior de 218 capas, o novo produto ofrece un aumento do 59% na densidade de almacenamento por unidade de área e unha mellora do 33% na velocidade de transferencia de datos.A súa principal vantaxe técnica reside en conseguir unha densidade de almacenamento ultra alta con menos capas apiladas, o que axuda a simplificar o gravado vertical, reducir o desgaste dos equipos avanzados, reducir os defectos de deformación das obleas e mellorar significativamente os custos de produción.A súa arquitectura QLC pode alcanzar unha densidade de 37,6 Gb/mm², superando ao produto de arquitectura V10 de 430 capas previsto por Samsung.
En contraste coa agresiva expansión da capacidade das empresas estadounidenses e xaponesas, os fabricantes de memorias coreanos están a ralentizar as súas follas de ruta da tecnoloxía NAND.Os datos de TrendForce mostran que se espera que os principais provedores mundiais de NAND engadan pouca ou ningunha nova capacidade en 2026. Samsung aprazou a produción en masa da súa décima xeración de NAND de 430 capas ata despois de 2027 e aínda non finalizou as ordes de adquisición de equipos.
Os analistas do sector cren que se Kioxia e Sandisk continúan mellorando os custos e acelerando a adopción de SSD QLC de grao empresarial, poderían ampliar aínda máis a súa participación no mercado de almacenamento do centro de datos de IA.Samsung e SK hynix, apoiados polos rendementos de produtos maduros de novena xeración e unhas fortes relacións con clientes empresariais e gobernamentais, seguirán sendo altamente competitivos.Espérase que a industria global NAND entre nunha nova fase de competencia.