Elixe o teu país ou rexión.

Hanmi Semiconductor presentará un prototipo de máquina de enlace híbrido de segunda xeración

O 9 de abril, Hanmi Semiconductor anunciou oficialmente os seus plans para presentar un prototipo da súa máquina de unión híbrida de segunda xeración para a produción de memoria de gran ancho de banda (HBM) de próxima xeración en 2026, ao tempo que comeza o traballo de validación conxunto cos clientes.A compañía afirmou ademais que está previsto que as operacións nunha instalación de fabricación dedicada para máquinas de unión híbrida comecen no primeiro semestre de 2027.

Como líder mundial no mercado de equipos de unión por compresión térmica de HBM, o último movemento de Hanmi Semiconductor ten como obxectivo conseguir unha posición de liderado nos equipos de envasado HBM de próxima xeración.A tecnoloxía de enlace híbrido substitúe os golpes de soldadura convencionais por unión directa de cobre a cobre, aumentando significativamente a densidade de interconexión de chips, mellorando as velocidades de transferencia de datos e reducindo o consumo de enerxía.Considérase unha tecnoloxía habilitante para a produción en masa de pilas HBM de alto número de capas de 20 capas ou máis, e un foco competitivo importante en equipos de semicondutores no medio da crecente demanda de potencia de computación AI.

Hanmi Semiconductor presentou por primeira vez a súa máquina de unión híbrida HBM de primeira xeración en 2020 e desde entón acumula unha experiencia substancial en investigación, desenvolvemento e validación.O próximo prototipo de segunda xeración incorpora os puntos fortes tecnolóxicos da plataforma de primeira xeración e ofrece amplas melloras na precisión a nivel de nanómetros, estabilidade do proceso e rendemento de produción.Espérase que a súa precisión de aliñamento chegue aos ±100 nanómetros, situándoo á altura dos principais puntos de referencia da industria mundial e facéndoo axeitado para chips HBM de próxima xeración con matrices de maior tamaño e maior número de pilas.

No lado da fabricación, Hanmi Semiconductor xa comezou a construción da súa planta de produción de máquinas de unión híbrida.Situada no complexo industrial nacional Juan en Incheon, Corea do Sur, a instalación supón un investimento de 100.000 millóns de wons (aproximadamente 34 millóns de dólares).Cunha superficie total de 14.570 metros cadrados, contará cunha sala limpa Clase 100 deseñada para soportar a fabricación de ultra precisión a nivel de nanómetros.Está previsto que as operacións comerciais comecen no primeiro semestre de 2027.

Hanmi Semiconductor ten actualmente unha cota dominante do 71,2% do mercado global de equipos de unión por compresión térmica HBM, con clientes importantes incluíndo fabricantes de memoria líderes como SK hynix.O lanzamento da súa máquina de unión híbrida de segunda xeración e a creación dunha instalación de produción dedicada reflicten a estratexia de dobre vía da compañía de reforzar o seu liderado existente mentres se posiciona para o crecemento futuro.A iniciativa ten como obxectivo abordar a demanda de actualización da tecnoloxía HBM a curto prazo ao tempo que senta as bases para a comercialización a gran escala da tecnoloxía de enlace híbrido para 2029, reforzando aínda máis a posición de Hanmi Semiconductor no mercado de equipos de semicondutores e apoiando o avance da industria global de HBM.